Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
DSBGA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
15,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
1,9 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,6 нКл при 0 В
Ширина
1.49мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Высота
0.28мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Тип корпуса
DSBGA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
15,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
1,9 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,6 нКл при 0 В
Ширина
1.49мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Высота
0.28мм