Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
39 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Ширина
2.3мм
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.6мм
Высота
6.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1875
P.O.A.
1875
Техническая документация
Характеристики
Brand
Taiwan SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
39 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Ширина
2.3мм
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.6мм
Высота
6.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V