STMicroelectronics STP260N6F6 MOSFET

Код товара RS: 760-9673Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP260N6F6
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

183 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 470,63

тг 1 470,63 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STP260N6F6 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 470,63
2тг 2 941,26
3тг 4 411,89
4тг 5 882,52
5тг 7 353,15
6тг 8 823,78
7тг 10 294,41
8тг 11 765,04
9тг 13 235,67
10тг 14 661,60
11тг 16 127,76
12тг 17 593,92
13тг 19 060,08
14тг 20 526,24
15тг 21 992,40

тг 1 470,63

тг 1 470,63 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STP260N6F6 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 470,63
2тг 2 941,26
3тг 4 411,89
4тг 5 882,52
5тг 7 353,15
6тг 8 823,78
7тг 10 294,41
8тг 11 765,04
9тг 13 235,67
10тг 14 661,60
11тг 16 127,76
12тг 17 593,92
13тг 19 060,08
14тг 20 526,24
15тг 21 992,40

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 1 470,63
10 - 49тг 1 466,16
50 - 99тг 1 296,30
100 - 249тг 1 153,26
250+тг 777,78

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.4мм

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

183 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics