Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
312 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
172 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 2 163,48
тг 1 081,74 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 2 163,48
тг 1 081,74 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 8 | тг 1 081,74 | тг 2 163,48 |
10 - 18 | тг 907,41 | тг 1 814,82 |
20 - 48 | тг 889,53 | тг 1 779,06 |
50 - 98 | тг 867,18 | тг 1 734,36 |
100+ | тг 768,84 | тг 1 537,68 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
312 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
172 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.