STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP120NF10

Код товара RS: 687-5295Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP120NF10
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

312 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

172 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 163,48

тг 1 081,74 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP120NF10
Select packaging type

тг 2 163,48

тг 1 081,74 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP120NF10
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 1 081,74тг 2 163,48
10 - 18тг 907,41тг 1 814,82
20 - 48тг 889,53тг 1 779,06
50 - 98тг 867,18тг 1 734,36
100+тг 768,84тг 1 537,68

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

312 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

172 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics