Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
STripFET II
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
312 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
172 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.4мм
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.15мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
2 - 8 | P.O.A. |
10 - 18 | P.O.A. |
20 - 48 | P.O.A. |
50 - 98 | P.O.A. |
100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
STripFET II
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
312 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
172 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.4мм
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.15мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.