Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Типичный заряд затвора при Vgs
7 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Ширина
3.5мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Типичный заряд затвора при Vgs
7 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Ширина
3.5мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре