Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD60NF06T4

Код товара RS: 920-8802Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD60NF06T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD60NF06T4

P.O.A.

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD60NF06T4
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics