Dual P-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V, 8-Pin ChipFET onsemi NTHD4102PT1G

Код товара RS: 780-0589Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTHD4102PT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

ChipFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

170 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 120,69

Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Dual P-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V, 8-Pin ChipFET onsemi NTHD4102PT1G
Select packaging type

тг 120,69

Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Dual P-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V, 8-Pin ChipFET onsemi NTHD4102PT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Лента
25 - 25тг 120,69тг 3 017,25
50 - 100тг 120,69тг 3 017,25
125 - 225тг 75,99тг 1 899,75
250 - 475тг 75,99тг 1 899,75
500+тг 75,99тг 1 899,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

ChipFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

170 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor