Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
90 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 5 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
90 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 5 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Информация о товаре