Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Ширина
4мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+170 °C
Длина
5мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
ON Semiconductor NCP81075DR2G MOSFET
2500
P.O.A.
ON Semiconductor NCP81075DR2G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Ширина
4мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+170 °C
Длина
5мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Прямое напряжение диода
1.1V