Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Оптронная пара
Тип монтажа
Поверхность
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Количество каналов
1
Упаковочные материалы
Лента и катушка
Количество контактов
6
Корпус
SMT
Тип входного тока
Пост. ток
Типичное время нарастания
20ns
Максимальный ток на входе
10mA
Напряжение изоляции
3.75kVrms
Логический вывод
Да
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
100°C
Минимальный коэффициент передачи по току
20%
Стандарты/одобрения
IEC, UL, EN
Типичное время затухания
10ns
Серия
H11D
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The 4N38M, H11D1M, H11D3M, and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Оптронная пара
Тип монтажа
Поверхность
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Количество каналов
1
Упаковочные материалы
Лента и катушка
Количество контактов
6
Корпус
SMT
Тип входного тока
Пост. ток
Типичное время нарастания
20ns
Максимальный ток на входе
10mA
Напряжение изоляции
3.75kVrms
Логический вывод
Да
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
100°C
Минимальный коэффициент передачи по току
20%
Стандарты/одобрения
IEC, UL, EN
Типичное время затухания
10ns
Серия
H11D
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The 4N38M, H11D1M, H11D3M, and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
