ON Semiconductor FQPF20N06 MOSFET

Код товара RS: 807-5897Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQPF20N06
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11,5 нКл при 10 В

Ширина

4.9мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

16.07мм

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 3 307,80

тг 330,78 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

ON Semiconductor FQPF20N06 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 307,80
20тг 6 615,60
30тг 9 923,40
40тг 13 231,20
50тг 11 398,50
60тг 13 678,20
70тг 15 957,90
80тг 18 237,60
90тг 20 517,30
100тг 20 562,00
110тг 22 618,20
120тг 24 674,40
130тг 26 730,60
140тг 28 786,80
150тг 30 843,00

тг 3 307,80

тг 330,78 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

ON Semiconductor FQPF20N06 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 307,80
20тг 6 615,60
30тг 9 923,40
40тг 13 231,20
50тг 11 398,50
60тг 13 678,20
70тг 15 957,90
80тг 18 237,60
90тг 20 517,30
100тг 20 562,00
110тг 22 618,20
120тг 24 674,40
130тг 26 730,60
140тг 28 786,80
150тг 30 843,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 330,78тг 3 307,80
50 - 90тг 227,97тг 2 279,70
100 - 490тг 205,62тг 2 056,20
500 - 990тг 169,86тг 1 698,60
1000+тг 147,51тг 1 475,10

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11,5 нКл при 10 В

Ширина

4.9мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

16.07мм

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.