Dual P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-23 onsemi FDC6312P

Код товара RS: 671-0340PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FDC6312P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

115 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

960 mW

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

4,4 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-23 onsemi FDC6312P
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-23 onsemi FDC6312P
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

115 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

960 mW

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

4,4 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.