ON Semiconductor FCB070N65S3 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

44 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

70 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

312 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

78 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

4.83мм

Страна происхождения

China