Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
63 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
107 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.28мм
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Ширина
15.75мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.82мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
20 - 20 | P.O.A. |
40 - 80 | P.O.A. |
100 - 180 | P.O.A. |
200 - 480 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
63 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
107 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.28мм
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Ширина
15.75мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.82мм
Информация о товаре