ON Semiconductor 3LP01C-TB-E MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Тип канала
P
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.5мм
Высота
1.1мм
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,43 нКл при 10 В
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Тип корпуса
CP
Максимальное сопротивление сток-исток
54 Ом
Brand
ON SemiconductorСтрана происхождения
China
Информация о товаре
Bodo Ehmann Aluminium 4 Way Type F German Schuko Socket Strip with 2 USB Outlets
Bodo Ehmann NPI
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Тип канала
P
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.5мм
Высота
1.1мм
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,43 нКл при 10 В
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Тип корпуса
CP
Максимальное сопротивление сток-исток
54 Ом
Brand
ON SemiconductorСтрана происхождения
China
Информация о товаре