Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
220 мА, 400 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-666
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
2,8 Ом, 7,8 Ом
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,52 нКл при 4,5 В, 0,55 нКл при 4,5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
50
P.O.A.
Стандартная упаковка
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 50 | P.O.A. |
100 - 200 | P.O.A. |
250 - 950 | P.O.A. |
1000 - 3950 | P.O.A. |
4000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
220 мА, 400 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-666
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
2,8 Ом, 7,8 Ом
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,52 нКл при 4,5 В, 0,55 нКл при 4,5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.6мм
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре