MagnaChip MDF3N50TH MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
30,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.71мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,75 нКл при 10 В
Ширина
4.93мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
16.13мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 151,98
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
50
тг 151,98
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Труба |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 151,98 | тг 7 599,00 |
| 250 - 450 | тг 138,57 | тг 6 928,50 |
| 500 - 950 | тг 129,63 | тг 6 481,50 |
| 1000+ | тг 116,22 | тг 5 811,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
30,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.71мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,75 нКл при 10 В
Ширина
4.93мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
16.13мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.