N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF11N60BTH

Код товара RS: 871-4915Бренд: MagnaChipПарт-номер производителя: MDF11N60BTH
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

MagnaChip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

660 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

49 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.93мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.71мм

Типичный заряд затвора при Vgs

38,4 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.13мм

Прямое напряжение диода

1.4V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF11N60BTH
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF11N60BTH
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
10 - 40P.O.A.
50 - 90P.O.A.
100 - 290P.O.A.
300 - 590P.O.A.
600+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

MagnaChip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

660 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

49 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.93мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.71мм

Типичный заряд затвора при Vgs

38,4 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.13мм

Прямое напряжение диода

1.4V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip