IXYS IXFN82N60P MOSFET

Код товара RS: 194-130Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN82N60P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

72 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

1,04 кВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

240 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.2мм

Ширина

25.07мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 12 028,77

Each (ex VAT)

IXYS IXFN82N60P MOSFET

1

Доступно в кратности 1
1тг 12 028,77
2тг 24 057,54
3тг 36 086,31
4тг 48 115,08
5тг 58 959,30
6тг 70 751,16
7тг 82 543,02
8тг 94 334,88
9тг 106 126,74
10тг 102 318,30
11тг 112 550,13
12тг 122 781,96
13тг 133 013,79
14тг 143 245,62
15тг 153 477,45

тг 12 028,77

Each (ex VAT)

IXYS IXFN82N60P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1тг 12 028,77
2тг 24 057,54
3тг 36 086,31
4тг 48 115,08
5тг 58 959,30
6тг 70 751,16
7тг 82 543,02
8тг 94 334,88
9тг 106 126,74
10тг 102 318,30
11тг 112 550,13
12тг 122 781,96
13тг 133 013,79
14тг 143 245,62
15тг 153 477,45

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 12 028,77
5 - 9тг 11 791,86
10 - 19тг 10 231,83
20 - 49тг 10 026,21
50+тг 9 825,06

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

72 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

1,04 кВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

240 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.2мм

Ширина

25.07мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS