Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
192 A
Максимальное напряжение сток-исток
300 В
Серия
HiperFET, Polar3
Тип корпуса
SOT-227
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
14,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 kW
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
25.07мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
38.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
268 нКл при 10 В
Высота
9.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
192 A
Максимальное напряжение сток-исток
300 В
Серия
HiperFET, Polar3
Тип корпуса
SOT-227
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
14,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 kW
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
25.07мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
38.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
268 нКл при 10 В
Высота
9.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS