N-Channel MOSFET, 210 A, 300 V, 3-Pin PLUS264 IXYS IXFB210N30P3

Код товара RS: 920-0987Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFB210N30P3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

210 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar3

Тип корпуса

PLUS264

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

14,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

1,89 кВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

20.29мм

Типичный заряд затвора при Vgs

268 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

26.59мм

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 210 A, 300 V, 3-Pin PLUS264 IXYS IXFB210N30P3

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 210 A, 300 V, 3-Pin PLUS264 IXYS IXFB210N30P3
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

210 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar3

Тип корпуса

PLUS264

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

14,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

1,89 кВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

20.29мм

Типичный заряд затвора при Vgs

268 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

26.59мм

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS