Infineon SPB80P06PGATMA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
340 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
9.45мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
115 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.31мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.57мм
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 1 385,70
тг 1 385,70 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 385,70
тг 1 385,70 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 385,70 |
| 25 - 99 | тг 1 113,03 |
| 100 - 499 | тг 1 010,22 |
| 500 - 999 | тг 822,48 |
| 1000+ | тг 742,02 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
340 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
9.45мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
115 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.31мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.57мм
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.