Infineon SI4435DYTRPBF MOSFET

Код товара RS: 170-2264Бренд: InfineonПарт-номер производителя: SI4435DYTRPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

Si4435DYPbF

Тип корпуса

SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon SI4435DYTRPBF MOSFET

P.O.A.

Infineon SI4435DYTRPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

Si4435DYPbF

Тип корпуса

SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V