Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
240 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
StrongIRFET
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
236 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 3 441,90
тг 1 720,95 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 3 441,90
тг 1 720,95 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 98 | тг 1 720,95 | тг 3 441,90 |
100 - 248 | тг 983,40 | тг 1 966,80 |
250 - 398 | тг 965,52 | тг 1 931,04 |
400 - 798 | тг 943,17 | тг 1 886,34 |
800+ | тг 929,76 | тг 1 859,52 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
240 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
StrongIRFET
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
236 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.