Infineon IRF540NPBF MOSFET

Код товара RS: 914-8154Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF540NPBF
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Количество элементов на ИС

1

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Материал транзистора

Кремний

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Серия

HEXFET

Ширина

4.69мм

Тип корпуса

TO-220AB

Длина

10.54мм

Высота

8.77мм

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Максимальный непрерывный ток стока

33 A

Brand

Infineon

Максимальное сопротивление сток-исток

44 мΩ

Типичный заряд затвора при Vgs

71 нКл при 10 В

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IRF540NPBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Infineon IRF540NPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Количество элементов на ИС

1

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Материал транзистора

Кремний

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Серия

HEXFET

Ширина

4.69мм

Тип корпуса

TO-220AB

Длина

10.54мм

Высота

8.77мм

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Максимальный непрерывный ток стока

33 A

Brand

Infineon

Максимальное сопротивление сток-исток

44 мΩ

Типичный заряд затвора при Vgs

71 нКл при 10 В

Страна происхождения

China