Infineon IRF1404LPBF MOSFET

Код товара RS: 543-0822Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF1404LPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

162 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

I2PAK (TO-262)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 40V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать

тг 1 636,02

тг 1 636,02 Each (ex VAT)

Infineon IRF1404LPBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 636,02
2тг 3 272,04
3тг 4 908,06
4тг 6 544,08
5тг 8 180,10
6тг 9 816,12
7тг 11 452,14
8тг 13 088,16
9тг 14 724,18
10тг 16 360,20
11тг 17 996,22
12тг 19 632,24
13тг 21 268,26
14тг 22 904,28
15тг 24 540,30

тг 1 636,02

тг 1 636,02 Each (ex VAT)

Infineon IRF1404LPBF MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 636,02
2тг 3 272,04
3тг 4 908,06
4тг 6 544,08
5тг 8 180,10
6тг 9 816,12
7тг 11 452,14
8тг 13 088,16
9тг 14 724,18
10тг 16 360,20
11тг 17 996,22
12тг 19 632,24
13тг 21 268,26
14тг 22 904,28
15тг 24 540,30

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 636,02
25 - 99тг 943,17
100 - 249тг 889,53
250 - 499тг 840,36
500+тг 804,60
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

162 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

I2PAK (TO-262)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 40V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать