Infineon IPD80R1K4P7ATMA1 MOSFET

Код товара RS: 130-0906PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD80R1K4P7ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

CoolMOS P7

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

32 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

6.22мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Высота

2.41мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™P7 Power MOSFET

The 800V CoolMOS P7 Power MOSFET family establishes even higher efficiency and thermal performance. Suitable applications are power adapters, LED lighting, audio, industrial and auxiliary power.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon IPD80R1K4P7ATMA1 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon IPD80R1K4P7ATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

CoolMOS P7

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

32 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

6.22мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Высота

2.41мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™P7 Power MOSFET

The 800V CoolMOS P7 Power MOSFET family establishes even higher efficiency and thermal performance. Suitable applications are power adapters, LED lighting, audio, industrial and auxiliary power.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.