Infineon IPB020N10N5ATMA1 MOSFET

Код товара RS: 170-2293Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB020N10N5ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

176 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

PG-TO 263

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

168 нКл при 10 В

Ширина

11.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

4.57мм

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPB020N10N5ATMA1 MOSFET

P.O.A.

Infineon IPB020N10N5ATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

176 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

PG-TO 263

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

168 нКл при 10 В

Ширина

11.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

4.57мм