Cypress Semiconductor CY7C1041G30-10ZSXE Чип памяти SRAM

Код товара RS: 182-3367Бренд: InfineonПарт-номер производителя: CY7C1041G30-10ZSXE
brand-logo
Просмотреть все в SRAM

Техническая документация

Характеристики

Объем памяти

4Мбит

Организация

256K x 16

Количество слов

256K

Количество бит на слово

16бит

Максимальное время произвольного доступа

10нс

Ширина адресной шины

16бит

Частота синхронизации

1МГц

Низкая мощность

Да

Тип синхронизации

Асинхронный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

TSOP-44

Число контактов

44

Размеры

18.51 x 10.26 x 1.05мм

Высота

1.05мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Ширина

10.26мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,2 В

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

18.51мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Cypress Semiconductor CY7C1041G30-10ZSXE Чип памяти SRAM
Select packaging type

P.O.A.

Cypress Semiconductor CY7C1041G30-10ZSXE Чип памяти SRAM
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Объем памяти

4Мбит

Организация

256K x 16

Количество слов

256K

Количество бит на слово

16бит

Максимальное время произвольного доступа

10нс

Ширина адресной шины

16бит

Частота синхронизации

1МГц

Низкая мощность

Да

Тип синхронизации

Асинхронный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

TSOP-44

Число контактов

44

Размеры

18.51 x 10.26 x 1.05мм

Высота

1.05мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Ширина

10.26мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,2 В

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

18.51мм

Страна происхождения

China