SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 296 результатов
Alliance Memory
1MB
Memory SRAM
-
128k x 8
-
128k
-
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
SOP-32
-
-
32
85°C
-
-
-
-
RoHS
AS6C1008
-
-
Нет
-
-
-
60mA
-
Alliance Memory
4MB
SRAM
-
512k x 8
-
512K
-
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
SOP-32
-
-
32
85°C
-
-
-
-
RoHS
AS6C4008
-
-
Нет
-
-
-
60mA
-
Microchip
1MB
SRAM
-
128K x 8 bit
-
128k
-
32
-
-
-
-
-
-
20MHz
-
1.7V
-
-
-
5.5V
-40°C
-
-
-
8
125°C
10.16мм
1.75мм
6 mm
-
RoHS
23
-
-
AEC-Q100
-
-
-
3mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
16kB
SRAM
-
2k x 8
-
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
Труба
-
-
24
85°C
-
-
-
-
REACH, RoHS
6116LA25
-
-
Нет
-
-
-
95mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
SRAM
-
64k x 16
-
64K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
-
-
-
44
85°C
18.41мм
1мм
10.16 mm
-
Нет
IDT71016
-
-
Нет
-
-
-
180mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
SRAM
-
128k x 8
-
128k
-
8
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
0°C
TSOP-44
-
-
32
70°C
21.95мм
2.67мм
7.6 mm
-
Нет
71024S
-
-
Нет
-
-
-
160mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
16bit
SRAM
-
1M x 16
-
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
-
5.5V
-40°C
-
-
-
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
71024S
-
-
Нет
-
-
-
40mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
SRAM
-
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
-
5.5V
-40°C
SOJ
-
-
32
85°C
-
-
-
-
Нет
71024
-
-
Нет
-
-
-
160mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
1MB
SRAM
-
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
-
-
3.6V
-40°C
-
-
-
48
85°C
-
-
-
-
Нет
IDT71V016
-
-
Нет
-
-
-
160mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
4MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
3.3V
-
-
Поверхность
3.3V
-40°C
SOJ-44
-
-
48
85°C
18.41мм
1мм
10.16 mm
-
JEDEC Center Power/GND pinout
IDT71V416
-
-
Нет
-
-
-
180mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
1MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
-
Поверхность
3.6V
0°C
SOJ-44
-
-
44
70°C
18.41мм
1мм
10.16 mm
-
JEDEC
IDT71V416
-
-
Нет
-
-
-
180mA
-
Renesas Electronics
1MB
SRAM
-
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
-
5.5V
-40°C
SOJ
-
-
32
85°C
-
-
-
-
Нет
71024
-
-
Нет
-
-
-
160mA
-
Renesas Electronics
1MB
SRAM
-
64k x 16
-
64K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
-
-
-
44
85°C
18.41мм
1мм
10.16 mm
-
Нет
IDT71016
-
-
Нет
-
-
-
180mA
-
Renesas Electronics
1MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
-
Поверхность
3.6V
0°C
SOJ-44
-
-
44
70°C
18.41мм
1мм
10.16 mm
-
JEDEC
IDT71V416
-
-
Нет
-
-
-
180mA
-
Renesas Electronics
1MB
SRAM
-
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
-
-
3.6V
-40°C
-
-
-
48
85°C
-
-
-
-
Нет
IDT71V016
-
-
Нет
-
-
-
160mA
-
Renesas Electronics
1MB
SRAM
-
128k x 8
-
128k
-
8
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
0°C
TSOP-44
-
-
32
70°C
21.95мм
2.67мм
7.6 mm
-
Нет
71024S
-
-
Нет
-
-
-
160mA
-
Renesas Electronics
16bit
SRAM
-
1M x 16
-
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
-
5.5V
-40°C
-
-
-
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
71024S
-
-
Нет
-
-
-
40mA
-
Renesas Electronics
16kB
SRAM
-
2k x 8
-
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
Труба
-
-
24
85°C
-
-
-
-
REACH, RoHS
6116LA25
-
-
Нет
-
-
-
95mA
-
Renesas Electronics
4MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
3.3V
-
-
Поверхность
3.3V
-40°C
SOJ-44
-
-
48
85°C
18.41мм
1мм
10.16 mm
-
JEDEC Center Power/GND pinout
IDT71V416
-
-
Нет
-
-
-
180mA
-
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
1MB
SRAM
-
128K x 8 bit
-
128k
-
8
-
-
55ns
17bit
-
-
-
Несинхронный
2.7V
-
-
Сквозное отверстие
5.5V
0°C
PDIP
-
-
32
70°C
41.91мм
3.81мм
13.82 mm
-
Нет
AS6C1008
-
-
Нет
-
-
-
-
-
...











