SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 334 результатов
Alliance Memory
-
Memory SRAM
1MB
128k x 8
-
128k
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
2.7V
Несинхронный
-
-
Поверхность
5.5V
SOP-32
-40°C
-
85°C
-
32
-
-
-
AS6C1008
RoHS
-
-
-
-
-
-
Нет
60mA
-
Alliance Memory
-
SRAM
4MB
512k x 8
-
512K
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
2.7V
Несинхронный
-
-
Поверхность
5.5V
SOP-32
-40°C
-
85°C
-
32
-
-
-
AS6C4008
RoHS
-
-
-
-
-
-
Нет
60mA
-
Microchip
-
SRAM
1MB
128K x 8 bit
-
128k
-
32
-
-
-
-
-
-
20MHz
1.7V
-
-
-
-
5.5V
-
-40°C
-
125°C
-
8
-
1.75мм
6 mm
23
RoHS
10.16мм
-
-
-
-
-
AEC-Q100
3mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
SRAM
16kB
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
4.5V
Несинхронный
-
-
Поверхность
5.5V
Труба
-40°C
-
85°C
-
24
-
-
-
6116LA25
REACH, RoHS
-
-
-
-
-
-
Нет
95mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64k x 16
-
64K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
-
4.5V
Несинхронный
-
-
Поверхность
5.5V
-
-40°C
-
85°C
-
44
-
1мм
10.16 mm
IDT71016
Нет
18.41мм
-
-
-
-
-
Нет
180mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128k x 8
-
128k
-
8
-
12ns
-
-
-
-
-
4.5V
Несинхронный
-
-
Поверхность
5.5V
TSOP-44
0°C
-
70°C
-
32
-
2.67мм
7.6 mm
71024S
Нет
21.95мм
-
-
-
-
-
Нет
160mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
SRAM
16bit
1M x 16
-
-
-
16
-
3.5μs
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
-
-
5.5V
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
-
71024S
RoHS
-
-
-
-
-
-
Нет
40mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
15ns
-
-
-
-
-
4.5V
Несинхронный
-
-
-
5.5V
SOJ
-40°C
-
85°C
-
32
-
-
-
71024
Нет
-
-
-
-
-
-
Нет
160mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
10ns
-
-
-
-
-
3V
Несинхронный
-
-
-
3.6V
-
-40°C
-
85°C
-
48
-
-
-
IDT71V016
Нет
-
-
-
-
-
-
Нет
160mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
SRAM
4MB
256k x 16
-
256K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
-
3.3V
Несинхронный
-
-
Поверхность
3.3V
SOJ-44
-40°C
-
85°C
-
48
-
1мм
10.16 mm
IDT71V416
JEDEC Center Power/GND pinout
18.41мм
-
-
-
-
-
Нет
180mA
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
256k x 16
-
256K
-
16
-
12ns
-
-
-
-
-
3V
Несинхронный
-
-
Поверхность
3.6V
SOJ-44
0°C
-
70°C
-
44
-
1мм
10.16 mm
IDT71V416
JEDEC
18.41мм
-
-
-
-
-
Нет
180mA
-
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
10ns
-
-
-
-
-
3V
Несинхронный
-
-
-
3.6V
-
-40°C
-
85°C
-
48
-
-
-
IDT71V016
Нет
-
-
-
-
-
-
Нет
160mA
-
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
15ns
-
-
-
-
-
4.5V
Несинхронный
-
-
-
5.5V
SOJ
-40°C
-
85°C
-
32
-
-
-
71024
Нет
-
-
-
-
-
-
Нет
160mA
-
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64k x 16
-
64K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
-
4.5V
Несинхронный
-
-
Поверхность
5.5V
-
-40°C
-
85°C
-
44
-
1мм
10.16 mm
IDT71016
Нет
18.41мм
-
-
-
-
-
Нет
180mA
-
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128k x 8
-
128k
-
8
-
12ns
-
-
-
-
-
4.5V
Несинхронный
-
-
Поверхность
5.5V
TSOP-44
0°C
-
70°C
-
32
-
2.67мм
7.6 mm
71024S
Нет
21.95мм
-
-
-
-
-
Нет
160mA
-
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
256k x 16
-
256K
-
16
-
12ns
-
-
-
-
-
3V
Несинхронный
-
-
Поверхность
3.6V
SOJ-44
0°C
-
70°C
-
44
-
1мм
10.16 mm
IDT71V416
JEDEC
18.41мм
-
-
-
-
-
Нет
180mA
-
Renesas Electronics
-
SRAM
16bit
1M x 16
-
-
-
16
-
3.5μs
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
-
-
5.5V
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
-
71024S
RoHS
-
-
-
-
-
-
Нет
40mA
-
Renesas Electronics
-
SRAM
16kB
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
4.5V
Несинхронный
-
-
Поверхность
5.5V
Труба
-40°C
-
85°C
-
24
-
-
-
6116LA25
REACH, RoHS
-
-
-
-
-
-
Нет
95mA
-
Renesas Electronics
-
SRAM
4MB
256k x 16
-
256K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
-
3.3V
Несинхронный
-
-
Поверхность
3.3V
SOJ-44
-40°C
-
85°C
-
48
-
1мм
10.16 mm
IDT71V416
JEDEC Center Power/GND pinout
18.41мм
-
-
-
-
-
Нет
180mA
-
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
-
SRAM
1MB
128K x 8 bit
-
128k
-
8
-
55ns
-
17bit
-
-
-
2.7V
Несинхронный
-
-
Сквозное отверстие
5.5V
PDIP
0°C
-
70°C
-
32
-
3.81мм
13.82 mm
AS6C1008
Нет
41.91мм
-
-
-
-
-
Нет
-
-
...











