SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 334 результатов
Alliance Memory
Memory SRAM
-
1MB
-
128k x 8
-
128k
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
5.5V
-
Поверхность
-40°C
SOP-32
-
32
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
AS6C1008
-
-
-
Нет
-
-
-
60mA
Alliance Memory
SRAM
-
4MB
-
512k x 8
-
512K
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
5.5V
-
Поверхность
-40°C
SOP-32
-
32
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
AS6C4008
-
-
-
Нет
-
-
-
60mA
Microchip
SRAM
-
1MB
-
128K x 8 bit
-
128k
-
32
-
-
-
-
20MHz
-
-
-
1.7V
5.5V
-
-
-40°C
-
-
8
-
125°C
-
RoHS
1.75мм
6 mm
10.16мм
23
-
-
-
AEC-Q100
-
-
-
3mA
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
SRAM
-
16kB
-
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
-
Поверхность
-40°C
Труба
-
24
-
85°C
-
REACH, RoHS
-
-
-
6116LA25
-
-
-
Нет
-
-
-
95mA
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64k x 16
-
64K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
-
Поверхность
-40°C
-
-
44
-
85°C
-
Нет
1мм
10.16 mm
18.41мм
IDT71016
-
-
-
Нет
-
-
-
180mA
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128k x 8
-
128k
-
8
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
-
Поверхность
0°C
TSOP-44
-
32
-
70°C
-
Нет
2.67мм
7.6 mm
21.95мм
71024S
-
-
-
Нет
-
-
-
160mA
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
SRAM
-
16bit
-
1M x 16
-
-
-
16
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
5.5V
-
-
-40°C
-
-
-
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
71024S
-
-
-
Нет
-
-
-
40mA
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
-
-
-40°C
SOJ
-
32
-
85°C
-
Нет
-
-
-
71024
-
-
-
Нет
-
-
-
160mA
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
3.6V
-
-
-40°C
-
-
48
-
85°C
-
Нет
-
-
-
IDT71V016
-
-
-
Нет
-
-
-
160mA
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
SRAM
-
4MB
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
3.3V
-
Поверхность
-40°C
SOJ-44
-
48
-
85°C
-
JEDEC Center Power/GND pinout
1мм
10.16 mm
18.41мм
IDT71V416
-
-
-
Нет
-
-
-
180mA
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
3.6V
-
Поверхность
0°C
SOJ-44
-
44
-
70°C
-
JEDEC
1мм
10.16 mm
18.41мм
IDT71V416
-
-
-
Нет
-
-
-
180mA
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
3.6V
-
-
-40°C
-
-
48
-
85°C
-
Нет
-
-
-
IDT71V016
-
-
-
Нет
-
-
-
160mA
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128k x 8
-
128k
-
8
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
-
Поверхность
0°C
TSOP-44
-
32
-
70°C
-
Нет
2.67мм
7.6 mm
21.95мм
71024S
-
-
-
Нет
-
-
-
160mA
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
3.6V
-
Поверхность
0°C
SOJ-44
-
44
-
70°C
-
JEDEC
1мм
10.16 mm
18.41мм
IDT71V416
-
-
-
Нет
-
-
-
180mA
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64k x 16
-
64K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
-
Поверхность
-40°C
-
-
44
-
85°C
-
Нет
1мм
10.16 mm
18.41мм
IDT71016
-
-
-
Нет
-
-
-
180mA
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
-
-
-40°C
SOJ
-
32
-
85°C
-
Нет
-
-
-
71024
-
-
-
Нет
-
-
-
160mA
Renesas Electronics
SRAM
-
16bit
-
1M x 16
-
-
-
16
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
5.5V
-
-
-40°C
-
-
-
-
85°C
-
RoHS
-
-
-
71024S
-
-
-
Нет
-
-
-
40mA
Renesas Electronics
SRAM
-
16kB
-
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
-
Поверхность
-40°C
Труба
-
24
-
85°C
-
REACH, RoHS
-
-
-
6116LA25
-
-
-
Нет
-
-
-
95mA
Renesas Electronics
SRAM
-
4MB
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
3.3V
-
Поверхность
-40°C
SOJ-44
-
48
-
85°C
-
JEDEC Center Power/GND pinout
1мм
10.16 mm
18.41мм
IDT71V416
-
-
-
Нет
-
-
-
180mA
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
SRAM
-
1MB
-
128K x 8 bit
-
128k
-
8
-
55ns
-
17bit
-
-
Несинхронный
-
2.7V
5.5V
-
Сквозное отверстие
0°C
PDIP
-
32
-
70°C
-
Нет
3.81мм
13.82 mm
41.91мм
AS6C1008
-
-
-
Нет
-
-
-
-
...











