SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 296 результатов
Alliance Memory
Memory SRAM
-
1MB
-
128k x 8
128k
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
SOP-32
-
-
32
85°C
RoHS
-
-
AS6C1008
-
-
-
-
-
-
60mA
-
-
Нет
Alliance Memory
SRAM
-
4MB
-
512k x 8
512K
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
SOP-32
-
-
32
85°C
RoHS
-
-
AS6C4008
-
-
-
-
-
-
60mA
-
-
Нет
Microchip
SRAM
-
1MB
-
128K x 8 bit
128k
-
-
32
-
-
-
-
-
20MHz
-
-
1.7V
-
-
5.5V
-40°C
-
-
-
8
125°C
RoHS
-
10.16мм
23
6 mm
1.75мм
-
-
-
-
3mA
-
-
AEC-Q100
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
SRAM
-
16kB
-
2k x 8
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
Труба
-
-
24
85°C
REACH, RoHS
-
-
6116LA25
-
-
-
-
-
-
95mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64k x 16
64K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
-
-
-
44
85°C
Нет
-
18.41мм
IDT71016
10.16 mm
1мм
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128k x 8
128k
-
-
8
12ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
Поверхность
-
5.5V
0°C
TSOP-44
-
-
32
70°C
Нет
-
21.95мм
71024S
7.6 mm
2.67мм
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
SRAM
-
16bit
-
1M x 16
-
-
-
16
3.5μs
-
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
5.5V
-40°C
-
-
-
-
85°C
RoHS
-
-
71024S
-
-
-
-
-
-
40mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128 K x 8 Bit
128k
-
-
8
15ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
5.5V
-40°C
SOJ
-
-
32
85°C
Нет
-
-
71024
-
-
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64K x 16 bit
64K
-
-
16
10ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
-
3.6V
-40°C
-
-
-
48
85°C
Нет
-
-
IDT71V016
-
-
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
SRAM
-
4MB
-
256k x 16
256K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
3.3V
Поверхность
-
3.3V
-40°C
SOJ-44
-
-
48
85°C
JEDEC Center Power/GND pinout
-
18.41мм
IDT71V416
10.16 mm
1мм
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
256k x 16
256K
-
-
16
12ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
Поверхность
-
3.6V
0°C
SOJ-44
-
-
44
70°C
JEDEC
-
18.41мм
IDT71V416
10.16 mm
1мм
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64k x 16
64K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
-
-
-
44
85°C
Нет
-
18.41мм
IDT71016
10.16 mm
1мм
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
256k x 16
256K
-
-
16
12ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
Поверхность
-
3.6V
0°C
SOJ-44
-
-
44
70°C
JEDEC
-
18.41мм
IDT71V416
10.16 mm
1мм
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128 K x 8 Bit
128k
-
-
8
15ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
5.5V
-40°C
SOJ
-
-
32
85°C
Нет
-
-
71024
-
-
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64K x 16 bit
64K
-
-
16
10ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
-
3.6V
-40°C
-
-
-
48
85°C
Нет
-
-
IDT71V016
-
-
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128k x 8
128k
-
-
8
12ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
Поверхность
-
5.5V
0°C
TSOP-44
-
-
32
70°C
Нет
-
21.95мм
71024S
7.6 mm
2.67мм
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
SRAM
-
16bit
-
1M x 16
-
-
-
16
3.5μs
-
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
5.5V
-40°C
-
-
-
-
85°C
RoHS
-
-
71024S
-
-
-
-
-
-
40mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
SRAM
-
16kB
-
2k x 8
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
Труба
-
-
24
85°C
REACH, RoHS
-
-
6116LA25
-
-
-
-
-
-
95mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
SRAM
-
4MB
-
256k x 16
256K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
-
Несинхронный
3.3V
Поверхность
-
3.3V
-40°C
SOJ-44
-
-
48
85°C
JEDEC Center Power/GND pinout
-
18.41мм
IDT71V416
10.16 mm
1мм
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
SRAM
-
1MB
-
128K x 8 bit
128k
-
-
8
55ns
-
17bit
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
Сквозное отверстие
-
5.5V
0°C
PDIP
-
-
32
70°C
Нет
-
41.91мм
AS6C1008
13.82 mm
3.81мм
-
-
-
-
-
-
-
Нет
...











