SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 334 результатов
Alliance Memory
-
1MB
Memory SRAM
-
128k x 8
-
128k
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
-
5.5V
Поверхность
SOP-32
-40°C
-
85°C
32
-
-
-
RoHS
-
-
AS6C1008
-
-
-
Нет
-
60mA
-
-
Alliance Memory
-
4MB
SRAM
-
512k x 8
-
512K
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
-
5.5V
Поверхность
SOP-32
-40°C
-
85°C
32
-
-
-
RoHS
-
-
AS6C4008
-
-
-
Нет
-
60mA
-
-
Microchip
-
1MB
SRAM
-
128K x 8 bit
-
128k
32
-
-
-
-
-
20MHz
-
-
-
1.7V
-
5.5V
-
-
-40°C
-
125°C
8
-
10.16мм
1.75мм
RoHS
-
6 mm
23
-
-
-
AEC-Q100
-
3mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
16kB
SRAM
-
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
Труба
-40°C
-
85°C
24
-
-
-
REACH, RoHS
-
-
6116LA25
-
-
-
Нет
-
95mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64k x 16
-
64K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
-
-40°C
-
85°C
44
-
18.41мм
1мм
Нет
-
10.16 mm
IDT71016
-
-
-
Нет
-
180mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128k x 8
-
128k
8
-
-
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
TSOP-44
0°C
-
70°C
32
-
21.95мм
2.67мм
Нет
-
7.6 mm
71024S
-
-
-
Нет
-
160mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
16bit
SRAM
-
1M x 16
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
5.5V
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
-
71024S
-
-
-
Нет
-
40mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128 K x 8 Bit
-
128k
8
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
-
SOJ
-40°C
-
85°C
32
-
-
-
Нет
-
-
71024
-
-
-
Нет
-
160mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64K x 16 bit
-
64K
16
-
-
10ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
3.6V
-
-
-40°C
-
85°C
48
-
-
-
Нет
-
-
IDT71V016
-
-
-
Нет
-
160mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
4MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3.3V
-
3.3V
Поверхность
SOJ-44
-40°C
-
85°C
48
-
18.41мм
1мм
JEDEC Center Power/GND pinout
-
10.16 mm
IDT71V416
-
-
-
Нет
-
180mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
3.6V
Поверхность
SOJ-44
0°C
-
70°C
44
-
18.41мм
1мм
JEDEC
-
10.16 mm
IDT71V416
-
-
-
Нет
-
180mA
-
-
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64K x 16 bit
-
64K
16
-
-
10ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
3.6V
-
-
-40°C
-
85°C
48
-
-
-
Нет
-
-
IDT71V016
-
-
-
Нет
-
160mA
-
-
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128 K x 8 Bit
-
128k
8
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
-
SOJ
-40°C
-
85°C
32
-
-
-
Нет
-
-
71024
-
-
-
Нет
-
160mA
-
-
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64k x 16
-
64K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
-
-40°C
-
85°C
44
-
18.41мм
1мм
Нет
-
10.16 mm
IDT71016
-
-
-
Нет
-
180mA
-
-
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128k x 8
-
128k
8
-
-
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
TSOP-44
0°C
-
70°C
32
-
21.95мм
2.67мм
Нет
-
7.6 mm
71024S
-
-
-
Нет
-
160mA
-
-
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
3.6V
Поверхность
SOJ-44
0°C
-
70°C
44
-
18.41мм
1мм
JEDEC
-
10.16 mm
IDT71V416
-
-
-
Нет
-
180mA
-
-
Renesas Electronics
-
16bit
SRAM
-
1M x 16
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
5.5V
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
-
71024S
-
-
-
Нет
-
40mA
-
-
Renesas Electronics
-
16kB
SRAM
-
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
Труба
-40°C
-
85°C
24
-
-
-
REACH, RoHS
-
-
6116LA25
-
-
-
Нет
-
95mA
-
-
Renesas Electronics
-
4MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3.3V
-
3.3V
Поверхность
SOJ-44
-40°C
-
85°C
48
-
18.41мм
1мм
JEDEC Center Power/GND pinout
-
10.16 mm
IDT71V416
-
-
-
Нет
-
180mA
-
-
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
-
1MB
SRAM
-
128K x 8 bit
-
128k
8
-
-
55ns
17bit
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
-
5.5V
Сквозное отверстие
PDIP
0°C
-
70°C
32
-
41.91мм
3.81мм
Нет
-
13.82 mm
AS6C1008
-
-
-
Нет
-
-
-
-
...











