SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 334 результатов
Alliance Memory
1MB
-
Memory SRAM
128k x 8
-
128k
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Поверхность
-
5.5V
-
-40°C
SOP-32
-
32
85°C
-
-
-
-
AS6C1008
RoHS
-
-
-
-
60mA
Нет
-
-
Alliance Memory
4MB
-
SRAM
512k x 8
-
512K
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Поверхность
-
5.5V
-
-40°C
SOP-32
-
32
85°C
-
-
-
-
AS6C4008
RoHS
-
-
-
-
60mA
Нет
-
-
Microchip
1MB
-
SRAM
128K x 8 bit
-
128k
-
-
32
-
-
-
-
20MHz
-
-
-
1.7V
-
-
5.5V
-
-40°C
-
-
8
125°C
10.16мм
-
6 mm
1.75мм
23
RoHS
-
-
-
-
3mA
AEC-Q100
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
16kB
-
SRAM
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-
-40°C
Труба
-
24
85°C
-
-
-
-
6116LA25
REACH, RoHS
-
-
-
-
95mA
Нет
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
64k x 16
-
64K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-
-40°C
-
-
44
85°C
18.41мм
-
10.16 mm
1мм
IDT71016
Нет
-
-
-
-
180mA
Нет
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
128k x 8
-
128k
-
-
8
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-
0°C
TSOP-44
-
32
70°C
21.95мм
-
7.6 mm
2.67мм
71024S
Нет
-
-
-
-
160mA
Нет
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
16bit
-
SRAM
1M x 16
-
-
-
-
16
3.5μs
-
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
5.5V
-
-40°C
-
-
-
85°C
-
-
-
-
71024S
RoHS
-
-
-
-
40mA
Нет
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
128 K x 8 Bit
-
128k
-
-
8
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
-
-
5.5V
-
-40°C
SOJ
-
32
85°C
-
-
-
-
71024
Нет
-
-
-
-
160mA
Нет
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
64K x 16 bit
-
64K
-
-
16
10ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
-
-
3.6V
-
-40°C
-
-
48
85°C
-
-
-
-
IDT71V016
Нет
-
-
-
-
160mA
Нет
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
4MB
-
SRAM
256k x 16
-
256K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
Поверхность
-
3.3V
-
-40°C
SOJ-44
-
48
85°C
18.41мм
-
10.16 mm
1мм
IDT71V416
JEDEC Center Power/GND pinout
-
-
-
-
180mA
Нет
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
256k x 16
-
256K
-
-
16
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
Поверхность
-
3.6V
-
0°C
SOJ-44
-
44
70°C
18.41мм
-
10.16 mm
1мм
IDT71V416
JEDEC
-
-
-
-
180mA
Нет
-
-
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
64k x 16
-
64K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-
-40°C
-
-
44
85°C
18.41мм
-
10.16 mm
1мм
IDT71016
Нет
-
-
-
-
180mA
Нет
-
-
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
64K x 16 bit
-
64K
-
-
16
10ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
-
-
3.6V
-
-40°C
-
-
48
85°C
-
-
-
-
IDT71V016
Нет
-
-
-
-
160mA
Нет
-
-
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
128k x 8
-
128k
-
-
8
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-
0°C
TSOP-44
-
32
70°C
21.95мм
-
7.6 mm
2.67мм
71024S
Нет
-
-
-
-
160mA
Нет
-
-
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
256k x 16
-
256K
-
-
16
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
Поверхность
-
3.6V
-
0°C
SOJ-44
-
44
70°C
18.41мм
-
10.16 mm
1мм
IDT71V416
JEDEC
-
-
-
-
180mA
Нет
-
-
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
128 K x 8 Bit
-
128k
-
-
8
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
-
-
5.5V
-
-40°C
SOJ
-
32
85°C
-
-
-
-
71024
Нет
-
-
-
-
160mA
Нет
-
-
Renesas Electronics
16bit
-
SRAM
1M x 16
-
-
-
-
16
3.5μs
-
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
5.5V
-
-40°C
-
-
-
85°C
-
-
-
-
71024S
RoHS
-
-
-
-
40mA
Нет
-
-
Renesas Electronics
16kB
-
SRAM
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-
-40°C
Труба
-
24
85°C
-
-
-
-
6116LA25
REACH, RoHS
-
-
-
-
95mA
Нет
-
-
Renesas Electronics
4MB
-
SRAM
256k x 16
-
256K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
Поверхность
-
3.3V
-
-40°C
SOJ-44
-
48
85°C
18.41мм
-
10.16 mm
1мм
IDT71V416
JEDEC Center Power/GND pinout
-
-
-
-
180mA
Нет
-
-
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
1MB
-
SRAM
128K x 8 bit
-
128k
-
-
8
55ns
-
17bit
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Сквозное отверстие
-
5.5V
-
0°C
PDIP
-
32
70°C
41.91мм
-
13.82 mm
3.81мм
AS6C1008
Нет
-
-
-
-
-
Нет
-
-
...











