SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 334 результатов
Alliance Memory
-
Memory SRAM
1MB
128k x 8
-
-
128k
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
-
SOP-32
85°C
-
32
-
RoHS
-
AS6C1008
-
-
-
-
-
60mA
Нет
-
-
-
Alliance Memory
-
SRAM
4MB
512k x 8
-
-
512K
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
-
SOP-32
85°C
-
32
-
RoHS
-
AS6C4008
-
-
-
-
-
60mA
Нет
-
-
-
Microchip
-
SRAM
1MB
128K x 8 bit
-
-
128k
32
-
-
-
-
-
-
20MHz
-
-
1.7V
-
-
5.5V
-40°C
-
-
125°C
-
8
10.16мм
RoHS
-
23
1.75мм
6 mm
-
-
-
3mA
AEC-Q100
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
SRAM
16kB
2k x 8
-
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
-
Труба
85°C
-
24
-
REACH, RoHS
-
6116LA25
-
-
-
-
-
95mA
Нет
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64k x 16
-
-
64K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
-
-
85°C
-
44
18.41мм
Нет
-
IDT71016
1мм
10.16 mm
-
-
-
180mA
Нет
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128k x 8
-
-
128k
8
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
0°C
-
TSOP-44
70°C
-
32
21.95мм
Нет
-
71024S
2.67мм
7.6 mm
-
-
-
160mA
Нет
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
SRAM
16bit
1M x 16
-
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
5.5V
-40°C
-
-
85°C
-
-
-
RoHS
-
71024S
-
-
-
-
-
40mA
Нет
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128 K x 8 Bit
-
-
128k
8
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
-
-
5.5V
-40°C
-
SOJ
85°C
-
32
-
Нет
-
71024
-
-
-
-
-
160mA
Нет
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64K x 16 bit
-
-
64K
16
-
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
-
-
3.6V
-40°C
-
-
85°C
-
48
-
Нет
-
IDT71V016
-
-
-
-
-
160mA
Нет
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
SRAM
4MB
256k x 16
-
-
256K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
Поверхность
-
3.3V
-40°C
-
SOJ-44
85°C
-
48
18.41мм
JEDEC Center Power/GND pinout
-
IDT71V416
1мм
10.16 mm
-
-
-
180mA
Нет
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
256k x 16
-
-
256K
16
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
Поверхность
-
3.6V
0°C
-
SOJ-44
70°C
-
44
18.41мм
JEDEC
-
IDT71V416
1мм
10.16 mm
-
-
-
180mA
Нет
-
-
-
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64K x 16 bit
-
-
64K
16
-
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
-
-
3.6V
-40°C
-
-
85°C
-
48
-
Нет
-
IDT71V016
-
-
-
-
-
160mA
Нет
-
-
-
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64k x 16
-
-
64K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
-
-
85°C
-
44
18.41мм
Нет
-
IDT71016
1мм
10.16 mm
-
-
-
180mA
Нет
-
-
-
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128 K x 8 Bit
-
-
128k
8
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
-
-
5.5V
-40°C
-
SOJ
85°C
-
32
-
Нет
-
71024
-
-
-
-
-
160mA
Нет
-
-
-
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128k x 8
-
-
128k
8
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
0°C
-
TSOP-44
70°C
-
32
21.95мм
Нет
-
71024S
2.67мм
7.6 mm
-
-
-
160mA
Нет
-
-
-
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
256k x 16
-
-
256K
16
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
Поверхность
-
3.6V
0°C
-
SOJ-44
70°C
-
44
18.41мм
JEDEC
-
IDT71V416
1мм
10.16 mm
-
-
-
180mA
Нет
-
-
-
Renesas Electronics
-
SRAM
16bit
1M x 16
-
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
5.5V
-40°C
-
-
85°C
-
-
-
RoHS
-
71024S
-
-
-
-
-
40mA
Нет
-
-
-
Renesas Electronics
-
SRAM
16kB
2k x 8
-
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-40°C
-
Труба
85°C
-
24
-
REACH, RoHS
-
6116LA25
-
-
-
-
-
95mA
Нет
-
-
-
Renesas Electronics
-
SRAM
4MB
256k x 16
-
-
256K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
Поверхность
-
3.3V
-40°C
-
SOJ-44
85°C
-
48
18.41мм
JEDEC Center Power/GND pinout
-
IDT71V416
1мм
10.16 mm
-
-
-
180mA
Нет
-
-
-
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
-
SRAM
1MB
128K x 8 bit
-
-
128k
8
-
-
55ns
17bit
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Сквозное отверстие
-
5.5V
0°C
-
PDIP
70°C
-
32
41.91мм
Нет
-
AS6C1008
3.81мм
13.82 mm
-
-
-
-
Нет
-
-
-
...











