SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 334 результатов
Alliance Memory
1MB
-
Memory SRAM
128k x 8
-
128k
-
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Поверхность
-
5.5V
SOP-32
-40°C
-
32
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
AS6C1008
-
-
-
-
Нет
-
-
60mA
Alliance Memory
4MB
-
SRAM
512k x 8
-
512K
-
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Поверхность
-
5.5V
SOP-32
-40°C
-
32
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
AS6C4008
-
-
-
-
Нет
-
-
60mA
Microchip
1MB
-
SRAM
128K x 8 bit
-
128k
-
32
-
-
-
-
-
-
20MHz
-
-
1.7V
-
-
5.5V
-
-40°C
-
8
125°C
-
10.16мм
-
1.75мм
RoHS
6 mm
23
-
-
-
-
AEC-Q100
-
-
3mA
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
16kB
-
SRAM
2k x 8
-
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
Труба
-40°C
-
24
85°C
-
-
-
-
REACH, RoHS
-
6116LA25
-
-
-
-
Нет
-
-
95mA
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
64k x 16
-
64K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-
-40°C
-
44
85°C
-
18.41мм
-
1мм
Нет
10.16 mm
IDT71016
-
-
-
-
Нет
-
-
180mA
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
128k x 8
-
128k
-
8
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
TSOP-44
0°C
-
32
70°C
-
21.95мм
-
2.67мм
Нет
7.6 mm
71024S
-
-
-
-
Нет
-
-
160mA
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
16bit
-
SRAM
1M x 16
-
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
5.5V
-
-40°C
-
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
71024S
-
-
-
-
Нет
-
-
40mA
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
-
-
5.5V
SOJ
-40°C
-
32
85°C
-
-
-
-
Нет
-
71024
-
-
-
-
Нет
-
-
160mA
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
-
-
3.6V
-
-40°C
-
48
85°C
-
-
-
-
Нет
-
IDT71V016
-
-
-
-
Нет
-
-
160mA
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
4MB
-
SRAM
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
Поверхность
-
3.3V
SOJ-44
-40°C
-
48
85°C
-
18.41мм
-
1мм
JEDEC Center Power/GND pinout
10.16 mm
IDT71V416
-
-
-
-
Нет
-
-
180mA
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
Поверхность
-
3.6V
SOJ-44
0°C
-
44
70°C
-
18.41мм
-
1мм
JEDEC
10.16 mm
IDT71V416
-
-
-
-
Нет
-
-
180mA
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
-
-
3.6V
-
-40°C
-
48
85°C
-
-
-
-
Нет
-
IDT71V016
-
-
-
-
Нет
-
-
160mA
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
-
-
5.5V
SOJ
-40°C
-
32
85°C
-
-
-
-
Нет
-
71024
-
-
-
-
Нет
-
-
160mA
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
128k x 8
-
128k
-
8
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
TSOP-44
0°C
-
32
70°C
-
21.95мм
-
2.67мм
Нет
7.6 mm
71024S
-
-
-
-
Нет
-
-
160mA
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
Поверхность
-
3.6V
SOJ-44
0°C
-
44
70°C
-
18.41мм
-
1мм
JEDEC
10.16 mm
IDT71V416
-
-
-
-
Нет
-
-
180mA
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
64k x 16
-
64K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-
-40°C
-
44
85°C
-
18.41мм
-
1мм
Нет
10.16 mm
IDT71016
-
-
-
-
Нет
-
-
180mA
Renesas Electronics
16bit
-
SRAM
1M x 16
-
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
5.5V
-
-40°C
-
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
71024S
-
-
-
-
Нет
-
-
40mA
Renesas Electronics
16kB
-
SRAM
2k x 8
-
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
Труба
-40°C
-
24
85°C
-
-
-
-
REACH, RoHS
-
6116LA25
-
-
-
-
Нет
-
-
95mA
Renesas Electronics
4MB
-
SRAM
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
Поверхность
-
3.3V
SOJ-44
-40°C
-
48
85°C
-
18.41мм
-
1мм
JEDEC Center Power/GND pinout
10.16 mm
IDT71V416
-
-
-
-
Нет
-
-
180mA
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
1MB
-
SRAM
128K x 8 bit
-
128k
-
8
-
-
55ns
17bit
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Сквозное отверстие
-
5.5V
PDIP
0°C
-
32
70°C
-
41.91мм
-
3.81мм
Нет
13.82 mm
AS6C1008
-
-
-
-
Нет
-
-
-
...











