SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 334 результатов
Alliance Memory
-
Memory SRAM
1MB
128k x 8
-
128k
-
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Поверхность
-
5.5V
SOP-32
-
-40°C
32
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
AS6C1008
-
-
-
-
60mA
-
-
Нет
Alliance Memory
-
SRAM
4MB
512k x 8
-
512K
-
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Поверхность
-
5.5V
SOP-32
-
-40°C
32
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
AS6C4008
-
-
-
-
60mA
-
-
Нет
Microchip
-
SRAM
1MB
128K x 8 bit
-
128k
-
32
-
-
-
-
-
20MHz
-
-
-
1.7V
-
-
5.5V
-
-
-40°C
8
-
125°C
10.16мм
6 mm
RoHS
-
1.75мм
23
-
-
-
-
3mA
-
-
AEC-Q100
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
SRAM
16kB
2k x 8
-
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
Труба
-
-40°C
24
-
85°C
-
-
REACH, RoHS
-
-
6116LA25
-
-
-
-
95mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64k x 16
-
64K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-
-
-40°C
44
-
85°C
18.41мм
10.16 mm
Нет
-
1мм
IDT71016
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128k x 8
-
128k
-
8
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
TSOP-44
-
0°C
32
-
70°C
21.95мм
7.6 mm
Нет
-
2.67мм
71024S
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
SRAM
16bit
1M x 16
-
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
5.5V
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
71024S
-
-
-
-
40mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
-
-
5.5V
SOJ
-
-40°C
32
-
85°C
-
-
Нет
-
-
71024
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
-
-
3.6V
-
-
-40°C
48
-
85°C
-
-
Нет
-
-
IDT71V016
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
SRAM
4MB
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
Поверхность
-
3.3V
SOJ-44
-
-40°C
48
-
85°C
18.41мм
10.16 mm
JEDEC Center Power/GND pinout
-
1мм
IDT71V416
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
Поверхность
-
3.6V
SOJ-44
-
0°C
44
-
70°C
18.41мм
10.16 mm
JEDEC
-
1мм
IDT71V416
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
-
-
3.6V
-
-
-40°C
48
-
85°C
-
-
Нет
-
-
IDT71V016
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128k x 8
-
128k
-
8
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
TSOP-44
-
0°C
32
-
70°C
21.95мм
7.6 mm
Нет
-
2.67мм
71024S
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
Поверхность
-
3.6V
SOJ-44
-
0°C
44
-
70°C
18.41мм
10.16 mm
JEDEC
-
1мм
IDT71V416
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
-
-
5.5V
SOJ
-
-40°C
32
-
85°C
-
-
Нет
-
-
71024
-
-
-
-
160mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
SRAM
1MB
64k x 16
-
64K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
-
-
-40°C
44
-
85°C
18.41мм
10.16 mm
Нет
-
1мм
IDT71016
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
SRAM
16bit
1M x 16
-
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
5.5V
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
-
RoHS
-
-
71024S
-
-
-
-
40mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
SRAM
16kB
2k x 8
-
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
Поверхность
-
5.5V
Труба
-
-40°C
24
-
85°C
-
-
REACH, RoHS
-
-
6116LA25
-
-
-
-
95mA
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
SRAM
4MB
256k x 16
-
256K
-
16
-
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
Поверхность
-
3.3V
SOJ-44
-
-40°C
48
-
85°C
18.41мм
10.16 mm
JEDEC Center Power/GND pinout
-
1мм
IDT71V416
-
-
-
-
180mA
-
-
Нет
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
-
SRAM
1MB
128K x 8 bit
-
128k
-
8
-
-
55ns
-
17bit
-
-
Несинхронный
-
2.7V
Сквозное отверстие
-
5.5V
PDIP
-
0°C
32
-
70°C
41.91мм
13.82 mm
Нет
-
3.81мм
AS6C1008
-
-
-
-
-
-
-
Нет
...











