SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 334 результатов
Alliance Memory
Memory SRAM
-
1MB
-
128k x 8
-
128k
-
-
-
55ns
-
-
-
-
2.7V
-
Несинхронный
-
5.5V
Поверхность
-
SOP-32
-40°C
32
-
85°C
-
-
AS6C1008
-
-
RoHS
-
-
-
-
Нет
60mA
-
-
Alliance Memory
SRAM
-
4MB
-
512k x 8
-
512K
-
-
-
55ns
-
-
-
-
2.7V
-
Несинхронный
-
5.5V
Поверхность
-
SOP-32
-40°C
32
-
85°C
-
-
AS6C4008
-
-
RoHS
-
-
-
-
Нет
60mA
-
-
Microchip
SRAM
-
1MB
-
128K x 8 bit
-
128k
32
-
-
-
-
-
20MHz
-
1.7V
-
-
-
5.5V
-
-
-
-40°C
8
-
125°C
6 mm
1.75мм
23
-
10.16мм
RoHS
-
-
-
-
AEC-Q100
3mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
SRAM
-
16kB
-
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
4.5V
-
Несинхронный
-
5.5V
Поверхность
-
Труба
-40°C
24
-
85°C
-
-
6116LA25
-
-
REACH, RoHS
-
-
-
-
Нет
95mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64k x 16
-
64K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
4.5V
-
Несинхронный
-
5.5V
Поверхность
-
-
-40°C
44
-
85°C
10.16 mm
1мм
IDT71016
-
18.41мм
Нет
-
-
-
-
Нет
180mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128k x 8
-
128k
8
-
-
12ns
-
-
-
-
4.5V
-
Несинхронный
-
5.5V
Поверхность
-
TSOP-44
0°C
32
-
70°C
7.6 mm
2.67мм
71024S
-
21.95мм
Нет
-
-
-
-
Нет
160mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
SRAM
-
16bit
-
1M x 16
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
4.5V
-
-
-
5.5V
-
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
-
71024S
-
-
RoHS
-
-
-
-
Нет
40mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128 K x 8 Bit
-
128k
8
-
-
15ns
-
-
-
-
4.5V
-
Несинхронный
-
5.5V
-
-
SOJ
-40°C
32
-
85°C
-
-
71024
-
-
Нет
-
-
-
-
Нет
160mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64K x 16 bit
-
64K
16
-
-
10ns
-
-
-
-
3V
-
Несинхронный
-
3.6V
-
-
-
-40°C
48
-
85°C
-
-
IDT71V016
-
-
Нет
-
-
-
-
Нет
160mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
SRAM
-
4MB
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
3.3V
-
Несинхронный
-
3.3V
Поверхность
-
SOJ-44
-40°C
48
-
85°C
10.16 mm
1мм
IDT71V416
-
18.41мм
JEDEC Center Power/GND pinout
-
-
-
-
Нет
180mA
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
12ns
-
-
-
-
3V
-
Несинхронный
-
3.6V
Поверхность
-
SOJ-44
0°C
44
-
70°C
10.16 mm
1мм
IDT71V416
-
18.41мм
JEDEC
-
-
-
-
Нет
180mA
-
-
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64K x 16 bit
-
64K
16
-
-
10ns
-
-
-
-
3V
-
Несинхронный
-
3.6V
-
-
-
-40°C
48
-
85°C
-
-
IDT71V016
-
-
Нет
-
-
-
-
Нет
160mA
-
-
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128 K x 8 Bit
-
128k
8
-
-
15ns
-
-
-
-
4.5V
-
Несинхронный
-
5.5V
-
-
SOJ
-40°C
32
-
85°C
-
-
71024
-
-
Нет
-
-
-
-
Нет
160mA
-
-
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
64k x 16
-
64K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
4.5V
-
Несинхронный
-
5.5V
Поверхность
-
-
-40°C
44
-
85°C
10.16 mm
1мм
IDT71016
-
18.41мм
Нет
-
-
-
-
Нет
180mA
-
-
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
128k x 8
-
128k
8
-
-
12ns
-
-
-
-
4.5V
-
Несинхронный
-
5.5V
Поверхность
-
TSOP-44
0°C
32
-
70°C
7.6 mm
2.67мм
71024S
-
21.95мм
Нет
-
-
-
-
Нет
160mA
-
-
Renesas Electronics
SRAM
-
1MB
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
12ns
-
-
-
-
3V
-
Несинхронный
-
3.6V
Поверхность
-
SOJ-44
0°C
44
-
70°C
10.16 mm
1мм
IDT71V416
-
18.41мм
JEDEC
-
-
-
-
Нет
180mA
-
-
Renesas Electronics
SRAM
-
16bit
-
1M x 16
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
4.5V
-
-
-
5.5V
-
-
-
-40°C
-
-
85°C
-
-
71024S
-
-
RoHS
-
-
-
-
Нет
40mA
-
-
Renesas Electronics
SRAM
-
16kB
-
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
4.5V
-
Несинхронный
-
5.5V
Поверхность
-
Труба
-40°C
24
-
85°C
-
-
6116LA25
-
-
REACH, RoHS
-
-
-
-
Нет
95mA
-
-
Renesas Electronics
SRAM
-
4MB
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
3.3V
-
Несинхронный
-
3.3V
Поверхность
-
SOJ-44
-40°C
48
-
85°C
10.16 mm
1мм
IDT71V416
-
18.41мм
JEDEC Center Power/GND pinout
-
-
-
-
Нет
180mA
-
-
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
SRAM
-
1MB
-
128K x 8 bit
-
128k
8
-
-
55ns
17bit
-
-
-
2.7V
-
Несинхронный
-
5.5V
Сквозное отверстие
-
PDIP
0°C
32
-
70°C
13.82 mm
3.81мм
AS6C1008
-
41.91мм
Нет
-
-
-
-
Нет
-
-
-
...











