SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 334 результатов
Alliance Memory
-
1MB
Memory SRAM
-
128k x 8
-
128k
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
-
5.5V
Поверхность
-
SOP-32
-40°C
-
85°C
32
-
AS6C1008
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
60mA
Alliance Memory
-
4MB
SRAM
-
512k x 8
-
512K
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
-
5.5V
Поверхность
-
SOP-32
-40°C
-
85°C
32
-
AS6C4008
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
60mA
Microchip
-
1MB
SRAM
-
128K x 8 bit
-
128k
32
-
-
-
-
-
-
20MHz
-
-
1.7V
-
5.5V
-
-
-
-40°C
-
125°C
8
1.75мм
23
10.16мм
-
RoHS
6 mm
-
-
-
-
-
-
AEC-Q100
3mA
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
16kB
SRAM
-
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
-
Труба
-40°C
-
85°C
24
-
6116LA25
-
-
REACH, RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
95mA
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64k x 16
-
64K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
-
-
-40°C
-
85°C
44
1мм
IDT71016
18.41мм
-
Нет
10.16 mm
-
-
-
-
-
-
Нет
180mA
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128k x 8
-
128k
8
-
-
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
-
TSOP-44
0°C
-
70°C
32
2.67мм
71024S
21.95мм
-
Нет
7.6 mm
-
-
-
-
-
-
Нет
160mA
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
16bit
SRAM
-
1M x 16
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
5.5V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
71024S
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
40mA
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128 K x 8 Bit
-
128k
8
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
-
-
SOJ
-40°C
-
85°C
32
-
71024
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
Нет
160mA
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64K x 16 bit
-
64K
16
-
-
10ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
48
-
IDT71V016
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
Нет
160mA
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
4MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3.3V
-
3.3V
Поверхность
-
SOJ-44
-40°C
-
85°C
48
1мм
IDT71V416
18.41мм
-
JEDEC Center Power/GND pinout
10.16 mm
-
-
-
-
-
-
Нет
180mA
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
3.6V
Поверхность
-
SOJ-44
0°C
-
70°C
44
1мм
IDT71V416
18.41мм
-
JEDEC
10.16 mm
-
-
-
-
-
-
Нет
180mA
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64K x 16 bit
-
64K
16
-
-
10ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
48
-
IDT71V016
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
Нет
160mA
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128k x 8
-
128k
8
-
-
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
-
TSOP-44
0°C
-
70°C
32
2.67мм
71024S
21.95мм
-
Нет
7.6 mm
-
-
-
-
-
-
Нет
160mA
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
3.6V
Поверхность
-
SOJ-44
0°C
-
70°C
44
1мм
IDT71V416
18.41мм
-
JEDEC
10.16 mm
-
-
-
-
-
-
Нет
180mA
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64k x 16
-
64K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
-
-
-40°C
-
85°C
44
1мм
IDT71016
18.41мм
-
Нет
10.16 mm
-
-
-
-
-
-
Нет
180mA
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128 K x 8 Bit
-
128k
8
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
-
-
SOJ
-40°C
-
85°C
32
-
71024
-
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
Нет
160mA
Renesas Electronics
-
16bit
SRAM
-
1M x 16
-
-
16
-
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
5.5V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
71024S
-
-
RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
40mA
Renesas Electronics
-
16kB
SRAM
-
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
5.5V
Поверхность
-
Труба
-40°C
-
85°C
24
-
6116LA25
-
-
REACH, RoHS
-
-
-
-
-
-
-
Нет
95mA
Renesas Electronics
-
4MB
SRAM
-
256k x 16
-
256K
16
-
-
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3.3V
-
3.3V
Поверхность
-
SOJ-44
-40°C
-
85°C
48
1мм
IDT71V416
18.41мм
-
JEDEC Center Power/GND pinout
10.16 mm
-
-
-
-
-
-
Нет
180mA
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
-
1MB
SRAM
-
128K x 8 bit
-
128k
8
-
-
55ns
-
17bit
-
-
-
Несинхронный
2.7V
-
5.5V
Сквозное отверстие
-
PDIP
0°C
-
70°C
32
3.81мм
AS6C1008
41.91мм
-
Нет
13.82 mm
-
-
-
-
-
-
Нет
-
...











