SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 334 результатов
Alliance Memory
1MB
-
Memory SRAM
-
128k x 8
-
128k
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
5.5V
Поверхность
-
SOP-32
-40°C
-
85°C
-
32
-
-
RoHS
-
AS6C1008
-
-
-
-
Нет
60mA
-
-
-
Alliance Memory
4MB
-
SRAM
-
512k x 8
-
512K
-
-
-
55ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
5.5V
Поверхность
-
SOP-32
-40°C
-
85°C
-
32
-
-
RoHS
-
AS6C4008
-
-
-
-
Нет
60mA
-
-
-
Microchip
1MB
-
SRAM
-
128K x 8 bit
-
128k
-
32
-
-
-
-
-
20MHz
-
-
1.7V
5.5V
-
-
-
-40°C
-
125°C
-
8
6 mm
10.16мм
RoHS
-
23
1.75мм
-
-
-
AEC-Q100
3mA
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
16kB
-
SRAM
-
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
Поверхность
-
Труба
-40°C
-
85°C
-
24
-
-
REACH, RoHS
-
6116LA25
-
-
-
-
Нет
95mA
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
-
64k x 16
-
64K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
Поверхность
-
-
-40°C
-
85°C
-
44
10.16 mm
18.41мм
Нет
-
IDT71016
1мм
-
-
-
Нет
180mA
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
-
128k x 8
-
128k
-
8
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
Поверхность
-
TSOP-44
0°C
-
70°C
-
32
7.6 mm
21.95мм
Нет
-
71024S
2.67мм
-
-
-
Нет
160mA
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
16bit
-
SRAM
-
1M x 16
-
-
-
16
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
5.5V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
71024S
-
-
-
-
Нет
40mA
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
-
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
-
-
SOJ
-40°C
-
85°C
-
32
-
-
Нет
-
71024
-
-
-
-
Нет
160mA
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
-
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
48
-
-
Нет
-
IDT71V016
-
-
-
-
Нет
160mA
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
4MB
-
SRAM
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
3.3V
Поверхность
-
SOJ-44
-40°C
-
85°C
-
48
10.16 mm
18.41мм
JEDEC Center Power/GND pinout
-
IDT71V416
1мм
-
-
-
Нет
180mA
-
-
-
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
3.6V
Поверхность
-
SOJ-44
0°C
-
70°C
-
44
10.16 mm
18.41мм
JEDEC
-
IDT71V416
1мм
-
-
-
Нет
180mA
-
-
-
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
-
64K x 16 bit
-
64K
-
16
-
10ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
3.6V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
48
-
-
Нет
-
IDT71V016
-
-
-
-
Нет
160mA
-
-
-
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
-
64k x 16
-
64K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
Поверхность
-
-
-40°C
-
85°C
-
44
10.16 mm
18.41мм
Нет
-
IDT71016
1мм
-
-
-
Нет
180mA
-
-
-
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
-
128 K x 8 Bit
-
128k
-
8
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
-
-
SOJ
-40°C
-
85°C
-
32
-
-
Нет
-
71024
-
-
-
-
Нет
160mA
-
-
-
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
-
128k x 8
-
128k
-
8
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
Поверхность
-
TSOP-44
0°C
-
70°C
-
32
7.6 mm
21.95мм
Нет
-
71024S
2.67мм
-
-
-
Нет
160mA
-
-
-
Renesas Electronics
1MB
-
SRAM
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
12ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3V
3.6V
Поверхность
-
SOJ-44
0°C
-
70°C
-
44
10.16 mm
18.41мм
JEDEC
-
IDT71V416
1мм
-
-
-
Нет
180mA
-
-
-
Renesas Electronics
16bit
-
SRAM
-
1M x 16
-
-
-
16
-
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
5.5V
-
-
-
-40°C
-
85°C
-
-
-
-
RoHS
-
71024S
-
-
-
-
Нет
40mA
-
-
-
Renesas Electronics
16kB
-
SRAM
-
2k x 8
-
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
4.5V
5.5V
Поверхность
-
Труба
-40°C
-
85°C
-
24
-
-
REACH, RoHS
-
6116LA25
-
-
-
-
Нет
95mA
-
-
-
Renesas Electronics
4MB
-
SRAM
-
256k x 16
-
256K
-
16
-
15ns
-
-
-
-
Несинхронный
-
3.3V
3.3V
Поверхность
-
SOJ-44
-40°C
-
85°C
-
48
10.16 mm
18.41мм
JEDEC Center Power/GND pinout
-
IDT71V416
1мм
-
-
-
Нет
180mA
-
-
-
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
1MB
-
SRAM
-
128K x 8 bit
-
128k
-
8
-
55ns
17bit
-
-
-
Несинхронный
-
2.7V
5.5V
Сквозное отверстие
-
PDIP
0°C
-
70°C
-
32
13.82 mm
41.91мм
Нет
-
AS6C1008
3.81мм
-
-
-
Нет
-
-
-
-
...











