SRAM
SRAM stands for Static Random Access Memory and is a type of semiconductor memory that uses bistable latching circuitry (flip-flop) to store each bit. It holds data bits in its memory so long as power is being supplied. It cannot hold data if power is removed. SRAM is used where speed or low power are needed. It’s higher density than DRAM, and less complicated structure makes it ideal to ...
Вы просматриваете 1-20 из 334 результатов
Alliance Memory
-
1MB
Memory SRAM
-
128k x 8
128k
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
SOP-32
-
85°C
32
-
-
AS6C1008
-
-
-
RoHS
-
-
-
60mA
-
-
-
Нет
Alliance Memory
-
4MB
SRAM
-
512k x 8
512K
-
-
-
55ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
2.7V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
SOP-32
-
85°C
32
-
-
AS6C4008
-
-
-
RoHS
-
-
-
60mA
-
-
-
Нет
Microchip
-
1MB
SRAM
-
128K x 8 bit
128k
-
-
32
-
-
-
-
20MHz
-
-
1.7V
-
-
-
5.5V
-40°C
-
-
125°C
8
-
1.75мм
23
10.16мм
6 mm
-
RoHS
-
-
-
3mA
-
-
-
AEC-Q100
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
16kB
SRAM
-
2k x 8
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
Труба
-
85°C
24
-
-
6116LA25
-
-
-
REACH, RoHS
-
-
-
95mA
-
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64k x 16
64K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
-
-
85°C
44
-
1мм
IDT71016
18.41мм
10.16 mm
-
Нет
-
-
-
180mA
-
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128k x 8
128k
-
-
8
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
0°C
TSOP-44
-
70°C
32
-
2.67мм
71024S
21.95мм
7.6 mm
-
Нет
-
-
-
160mA
-
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
16bit
SRAM
-
1M x 16
-
-
-
16
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
-
5.5V
-40°C
-
-
85°C
-
-
-
71024S
-
-
-
RoHS
-
-
-
40mA
-
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
2
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128 K x 8 Bit
128k
-
-
8
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
-
5.5V
-40°C
SOJ
-
85°C
32
-
-
71024
-
-
-
Нет
-
-
-
160mA
-
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
5
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64K x 16 bit
64K
-
-
16
10ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
-
-
3.6V
-40°C
-
-
85°C
48
-
-
IDT71V016
-
-
-
Нет
-
-
-
160mA
-
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
4MB
SRAM
-
256k x 16
256K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3.3V
-
-
Поверхность
3.3V
-40°C
SOJ-44
-
85°C
48
-
1мм
IDT71V416
18.41мм
10.16 mm
-
JEDEC Center Power/GND pinout
-
-
-
180mA
-
-
-
Нет
P.O.A.
Проверить наличие
1
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
256k x 16
256K
-
-
16
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
-
Поверхность
3.6V
0°C
SOJ-44
-
70°C
44
-
1мм
IDT71V416
18.41мм
10.16 mm
-
JEDEC
-
-
-
180mA
-
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64K x 16 bit
64K
-
-
16
10ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
-
-
3.6V
-40°C
-
-
85°C
48
-
-
IDT71V016
-
-
-
Нет
-
-
-
160mA
-
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128 K x 8 Bit
128k
-
-
8
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
-
5.5V
-40°C
SOJ
-
85°C
32
-
-
71024
-
-
-
Нет
-
-
-
160mA
-
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
128k x 8
128k
-
-
8
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
0°C
TSOP-44
-
70°C
32
-
2.67мм
71024S
21.95мм
7.6 mm
-
Нет
-
-
-
160mA
-
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
64k x 16
64K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
-
-
85°C
44
-
1мм
IDT71016
18.41мм
10.16 mm
-
Нет
-
-
-
180mA
-
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
1MB
SRAM
-
256k x 16
256K
-
-
16
12ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3V
-
-
Поверхность
3.6V
0°C
SOJ-44
-
70°C
44
-
1мм
IDT71V416
18.41мм
10.16 mm
-
JEDEC
-
-
-
180mA
-
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
16bit
SRAM
-
1M x 16
-
-
-
16
3.5μs
-
-
-
-
-
-
4.5V
-
-
-
5.5V
-40°C
-
-
85°C
-
-
-
71024S
-
-
-
RoHS
-
-
-
40mA
-
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
16kB
SRAM
-
2k x 8
-
-
-
-
25ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
4.5V
-
-
Поверхность
5.5V
-40°C
Труба
-
85°C
24
-
-
6116LA25
-
-
-
REACH, RoHS
-
-
-
95mA
-
-
-
Нет
Renesas Electronics
-
4MB
SRAM
-
256k x 16
256K
-
-
16
15ns
-
-
-
-
-
Несинхронный
3.3V
-
-
Поверхность
3.3V
-40°C
SOJ-44
-
85°C
48
-
1мм
IDT71V416
18.41мм
10.16 mm
-
JEDEC Center Power/GND pinout
-
-
-
180mA
-
-
-
Нет
тг 1 059,39
тг 1 059,39 Each (ex VAT)
Проверить наличие
1
Alliance Memory
-
1MB
SRAM
-
128K x 8 bit
128k
-
-
8
55ns
-
-
17bit
-
-
Несинхронный
2.7V
-
-
Сквозное отверстие
5.5V
0°C
PDIP
-
70°C
32
-
3.81мм
AS6C1008
41.91мм
13.82 mm
-
Нет
-
-
-
-
-
-
-
Нет
...











