Infineon N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC009NE2LS5IATMA1

Код товара RS: 133-9881Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC009NE2LS5IATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

PG-TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1,35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

74 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+16 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.35мм

Длина

5.49мм

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.62V

Высота

1.1мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC009NE2LS5IATMA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 5
1P.O.A.
6P.O.A.
11P.O.A.
16P.O.A.
21P.O.A.
26P.O.A.
31P.O.A.
36P.O.A.
41P.O.A.
46P.O.A.
51P.O.A.
56P.O.A.
61P.O.A.
66P.O.A.
71P.O.A.

P.O.A.

Infineon N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC009NE2LS5IATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 5
1P.O.A.
6P.O.A.
11P.O.A.
16P.O.A.
21P.O.A.
26P.O.A.
31P.O.A.
36P.O.A.
41P.O.A.
46P.O.A.
51P.O.A.
56P.O.A.
61P.O.A.
66P.O.A.
71P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

PG-TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1,35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

74 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+16 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.35мм

Длина

5.49мм

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.62V

Высота

1.1мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.