Fairchild Semiconductor FQA28N50 МОП-транзистор (MOSFET)
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
28 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
160 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
310 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.8мм
Ширина
5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
18.9мм
Информация о товаре
QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
28 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
160 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
310 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.8мм
Ширина
5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
18.9мм
Информация о товаре
QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.