ON Semiconductor FDV301N MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
220 мА
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
0,49 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.93мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 89,40
Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 89,40
Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 89,40 |
| 25 - 99 | тг 62,58 |
| 100 - 249 | тг 49,17 |
| 250 - 499 | тг 44,70 |
| 500+ | тг 40,23 |
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
220 мА
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.7V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
0,49 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.93мм