Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
IntelliFET
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
675 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
1.8мм
Информация о товаре
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
IntelliFET
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
675 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
1.8мм
Информация о товаре
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.