Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
64Мбит
Тип интерфейса
CFI, Параллельный
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Организация
4М x 16 бит, 8М x 8 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Размеры
18.5 x 12.1 x 1.05мм
Количество слов
4M, 8M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8 bit, 16 bit
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное время произвольного доступа
90нс
Информация о товаре
Parallel NOR Flash Memory, Cypress Semiconductor
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
5
P.O.A.
Стандартная упаковка
5
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
64Мбит
Тип интерфейса
CFI, Параллельный
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Организация
4М x 16 бит, 8М x 8 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Размеры
18.5 x 12.1 x 1.05мм
Количество слов
4M, 8M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8 bit, 16 bit
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное время произвольного доступа
90нс
Информация о товаре
Parallel NOR Flash Memory, Cypress Semiconductor
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.