Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128К x 8 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
8бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
STSOP
Число контактов
32
Размеры
11.9 x 8.1 x 1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.05мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
11.9мм
Ширина
8.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Информация о товаре
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
5
P.O.A.
Стандартная упаковка
5
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128К x 8 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
8бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
STSOP
Число контактов
32
Размеры
11.9 x 8.1 x 1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.05мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
11.9мм
Ширина
8.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Информация о товаре
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.