Wolfspeed CCS050M12CM2 MOSFET

Код товара RS: 916-3891Бренд: WolfspeedПарт-номер производителя: CCS050M12CM2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

87 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

Six Pack

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

28

Максимальное сопротивление сток-исток

63 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Максимальное рассеяние мощности

312 Вт

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +25 В

Количество элементов на ИС

6

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

108мм

Типичный заряд затвора при Vgs

180 нКл при 10 В

Ширина

47мм

Материал транзистора

SiC

Прямое напряжение диода

2.3V

Высота

17мм

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules

Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.

MOSFET Transistors, Wolfspeed

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Wolfspeed CCS050M12CM2 MOSFET

P.O.A.

Wolfspeed CCS050M12CM2 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

87 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

Six Pack

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

28

Максимальное сопротивление сток-исток

63 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Максимальное рассеяние мощности

312 Вт

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +25 В

Количество элементов на ИС

6

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

108мм

Типичный заряд затвора при Vgs

180 нКл при 10 В

Ширина

47мм

Материал транзистора

SiC

Прямое напряжение диода

2.3V

Высота

17мм

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules

Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.

MOSFET Transistors, Wolfspeed