Wolfspeed CCS020M12CM2 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
Module
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
28
Максимальное сопротивление сток-исток
208 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.7V
Максимальное рассеяние мощности
167 Вт
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +25 В
Ширина
47мм
Количество элементов на ИС
6
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
SiC
Длина
108мм
Типичный заряд затвора при Vgs
61,5 нКл при 20 В, 61,5 нКл при 5 В
Высота
17мм
Прямое напряжение диода
2.3V
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
Module
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
28
Максимальное сопротивление сток-исток
208 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.7V
Максимальное рассеяние мощности
167 Вт
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +25 В
Ширина
47мм
Количество элементов на ИС
6
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
SiC
Длина
108мм
Типичный заряд затвора при Vgs
61,5 нКл при 20 В, 61,5 нКл при 5 В
Высота
17мм
Прямое напряжение диода
2.3V
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.