Wolfspeed CAS300M17BM2 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
325 А
Максимальное напряжение сток-исток
1700 В
Тип корпуса
Полумост
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
20 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,76 кВт
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +25 В
Ширина
61.4мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
SiC
Длина
106.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1076 нКл при 20 В, 1076 нКл при 5 В
Высота
30мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Прямое напряжение диода
2.5V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
325 А
Максимальное напряжение сток-исток
1700 В
Тип корпуса
Полумост
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
20 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,76 кВт
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +25 В
Ширина
61.4мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
SiC
Длина
106.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1076 нКл при 20 В, 1076 нКл при 5 В
Высота
30мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Прямое напряжение диода
2.5V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.