Dual SiC N-Channel MOSFET, 404 A, 1200 V, 7-Pin Half Bridge Wolfspeed CAS300M12BM2
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
404 А
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
Полумост
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
9,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,66 кВт
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +25 В
Ширина
61.4мм
Материал транзистора
SiC
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
106.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1025 нКл при 20 В, 1025 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
2
Прямое напряжение диода
2.5V
Высота
30мм
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
404 А
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
Полумост
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
9,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,66 кВт
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +25 В
Ширина
61.4мм
Материал транзистора
SiC
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
106.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1025 нКл при 20 В, 1025 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
2
Прямое напряжение диода
2.5V
Высота
30мм
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.