Dual SiC N-Channel MOSFET, 193 A, 1200 V, 7-Pin Half Bridge Wolfspeed CAS120M12BM2
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
193 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
Полумост
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
30 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
925 Вт
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
378 нКл при 20 В
Ширина
61.4мм
Материал транзистора
SiC
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
106.4мм
Высота
30мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Прямое напряжение диода
2.4V
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
193 A
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Тип корпуса
Полумост
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
30 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
925 Вт
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
378 нКл при 20 В
Ширина
61.4мм
Материал транзистора
SiC
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
106.4мм
Высота
30мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Прямое напряжение диода
2.4V
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.