SiC N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0280090J

Код товара RS: 192-3382Бренд: WolfspeedПарт-номер производителя: C3M0280090J
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-263

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, 18 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

SiC

Длина

10.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 4/15 В.

Ширина

9.12мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0280090J

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0280090J
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-263

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, 18 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

SiC

Длина

10.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 4/15 В.

Ширина

9.12мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C