Wolfspeed C3M0280090D MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
360 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
54 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +18 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
SiC
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,5 нКл при 15 В
Ширина
21.1мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
4.8V
Высота
5.21мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
360 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
54 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +18 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
SiC
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,5 нКл при 15 В
Ширина
21.1мм
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
4.8V
Высота
5.21мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.