SiC N-Channel MOSFET, 23 A, 900 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C3M0120090D

Код товара RS: 915-8849Бренд: WolfspeedПарт-номер производителя: C3M0120090D
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

23 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

155 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

97 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +18 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17,3 нКл при 15 В

Ширина

21.1мм

Материал транзистора

SiC

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

4.8V

Высота

5.21мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET, 23 A, 900 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C3M0120090D
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET, 23 A, 900 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C3M0120090D
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

23 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

155 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

97 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +18 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17,3 нКл при 15 В

Ширина

21.1мм

Материал транзистора

SiC

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

4.8V

Высота

5.21мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed