Wolfspeed C3M0065100K MOSFET

Код товара RS: 125-3453Бренд: WolfspeedПарт-номер производителя: C3M0065100K
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

C3M

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

113,5 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +19 В

Материал транзистора

SiC

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 15 В, 35 нКл при 4 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.21мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

4.8V

Высота

23.6мм

Информация о товаре

Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.

MOSFET Transistors, Cree Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Wolfspeed C3M0065100K MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Wolfspeed C3M0065100K MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

C3M

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

113,5 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +19 В

Материал транзистора

SiC

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 15 В, 35 нКл при 4 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.21мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

4.8V

Высота

23.6мм

Информация о товаре

Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.

MOSFET Transistors, Cree Inc.