Wolfspeed C3M0065090J MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
78 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
113 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Ширина
10.99мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
SiC
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 15 В
Длина
10.23мм
Высота
4.57мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
4.4V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
78 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
113 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Ширина
10.99мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
SiC
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 15 В
Длина
10.23мм
Высота
4.57мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
4.4V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.