Wolfspeed C3M0065090D MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
36 A
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
78 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +18 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
21.1мм
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
30,4 нКл при 15 В
Материал транзистора
SiC
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
4.8V
Высота
5.21мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
WolfspeedТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
36 A
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
78 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +18 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
21.1мм
Длина
16.13мм
Типичный заряд затвора при Vgs
30,4 нКл при 15 В
Материал транзистора
SiC
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
4.8V
Высота
5.21мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.