Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Wolfspeed SiC N-Channel MOSFET, 63 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 C3M0032120K

Код товара RS: 192-3498Бренд: WolfspeedПарт-номер производителя: C3M0032120K
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

63 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

283 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +19 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.21мм

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

118 нКл при 4/15 В.

Материал транзистора

SiC

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

23.6мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Wolfspeed SiC N-Channel MOSFET, 63 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 C3M0032120K

P.O.A.

Wolfspeed SiC N-Channel MOSFET, 63 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 C3M0032120K
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

63 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

283 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +19 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.21мм

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

118 нКл при 4/15 В.

Материал транзистора

SiC

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

23.6мм

Страна происхождения

China