SiC N-Channel MOSFET, 5.3 A, 1700 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C2M1000170J

Код товара RS: 915-8833Бренд: WolfspeedПарт-номер производителя: C2M1000170J
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,3 A

Максимальное напряжение сток-исток

1700 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

78 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 20 В

Ширина

10.99мм

Материал транзистора

SiC

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

3.8V

Высота

4.57мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET, 5.3 A, 1700 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C2M1000170J
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET, 5.3 A, 1700 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C2M1000170J
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,3 A

Максимальное напряжение сток-исток

1700 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

78 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 20 В

Ширина

10.99мм

Материал транзистора

SiC

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

3.8V

Высота

4.57мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed